LND01K1-G
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| Teilenummer | LND01K1-G |
| PNEDA Teilenummer | LND01K1-G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LND01K1-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LND01K1-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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LND01K1-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 9V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 330mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 100mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +0.6V, -12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 5V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-5 |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4414pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN2523-6 Paket / Fall 6-PowerUDFN |
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