M29W800DT90N1
Nur als Referenz
| Teilenummer | M29W800DT90N1 |
| PNEDA Teilenummer | M29W800DT90N1 |
| Beschreibung | IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
M29W800DT90N1 Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | M29W800DT90N1 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- M29W800DT90N1 Datasheet
- where to find M29W800DT90N1
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. M29W800DT90N1
- M29W800DT90N1 PDF Datasheet
- M29W800DT90N1 Stock
- M29W800DT90N1 Pinout
- Datasheet M29W800DT90N1
- M29W800DT90N1 Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- M29W800DT90N1 Price
- M29W800DT90N1 Distributor
M29W800DT90N1 Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 90ns |
| Zugriffszeit | 90ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 48-TSOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 2.6ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 144Kb (8K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 600ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-TWBGA (8x12.5) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (15x17) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8, 1K x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
