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M58LT128HST8ZA6F TR

M58LT128HST8ZA6F TR

Nur als Referenz

Teilenummer M58LT128HST8ZA6F TR
PNEDA Teilenummer M58LT128HST8ZA6F-TR
Beschreibung IC FLASH 128M PARALLEL 80LBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 5.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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M58LT128HST8ZA6F TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM58LT128HST8ZA6F TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M58LT128HST8ZA6F TR, M58LT128HST8ZA6F TR Datenblatt (Total Pages: 110, Größe: 2.016,24 KB)
PDFM58LT128HST8ZA6F TR Datenblatt Cover
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M58LT128HST8ZA6F TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz52MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite85ns
Zugriffszeit85ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall80-LBGA
Lieferantengerätepaket80-LBGA (10x12)

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

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8-SOIC

DS2460S+T&R

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

896b (112 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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AT27C040-90JU

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

8 611 200 893

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IDT71V416S15YI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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