MBR3560R
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| Teilenummer | MBR3560R |
| PNEDA Teilenummer | MBR3560R |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY REV 60V DO4 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.172 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBR3560R Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBR3560R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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MBR3560R Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 35A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1.5mA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 2.5pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket DO-35 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
