MBRF12030
Nur als Referenz
| Teilenummer | MBRF12030 |
| PNEDA Teilenummer | MBRF12030 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 60A TO244AB |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBRF12030 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBRF12030 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MBRF12030 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 60A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 60A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | TO-244AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-244AB |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 50A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 110ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 600V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ADD-A-PAK (3) Lieferantengerätepaket ADD-A-PAK® |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
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