MBRT60035RL
Nur als Referenz
| Teilenummer | MBRT60035RL |
| PNEDA Teilenummer | MBRT60035RL |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.394 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 6 - Jun 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBRT60035RL Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBRT60035RL |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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MBRT60035RL Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 300A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 3mA @ 35V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 80A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 30V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall D-61-8-SM Lieferantengerätepaket D-61-8-SM |
