MCH6602-TL-E
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| Teilenummer | MCH6602-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | MCH6602-TL-E |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.318 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCH6602-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCH6602-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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MCH6602-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 350mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 6-MCPH |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC, 6.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF, 305pF @ 15V Leistung - max 1.4W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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