MCH6660-TL-W
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| Teilenummer | MCH6660-TL-W |
| PNEDA Teilenummer | MCH6660-TL-W |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 154.722 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCH6660-TL-W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCH6660-TL-W |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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MCH6660-TL-W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A, 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 136mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 128pF @ 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 6-MCPH |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
