MGP15N40CL
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| Teilenummer | MGP15N40CL |
| PNEDA Teilenummer | MGP15N40CL |
| Beschreibung | IGBT 440V 15A 150W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.804 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MGP15N40CL Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MGP15N40CL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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MGP15N40CL Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 440V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 4V, 25A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/4µs |
| Testbedingung | 300V, 6.5A, 1kOhm |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 498µJ (on), 363µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/142ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A Leistung - max 100W Schaltenergie 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/100ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 86ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/190ns Testbedingung 300V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
