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MMBD4448DW-TP

MMBD4448DW-TP

Nur als Referenz

Teilenummer MMBD4448DW-TP
PNEDA Teilenummer MMBD4448DW-TP
Beschreibung DIODE ARRAY GP 75V 250MA SOT363
Hersteller Micro Commercial Co
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Auf Lager 22.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MMBD4448DW-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBD4448DW-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MMBD4448DW-TP, MMBD4448DW-TP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 287,5 KB)
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MMBD4448DW-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2.5µA @ 75V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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SMC Diode Solutions

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

160µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

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ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

250V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Diodes Incorporated

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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