Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MMBF2202PT1G

MMBF2202PT1G

Nur als Referenz

Teilenummer MMBF2202PT1G
PNEDA Teilenummer MMBF2202PT1G
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 10 - Mai 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBF2202PT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBF2202PT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
MMBF2202PT1G, MMBF2202PT1G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 78,71 KB)
PDFMMBF2202PT1G Datenblatt Cover
MMBF2202PT1G Datenblatt Seite 2 MMBF2202PT1G Datenblatt Seite 3 MMBF2202PT1G Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MMBF2202PT1G Datasheet
  • where to find MMBF2202PT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor MMBF2202PT1G
  • MMBF2202PT1G PDF Datasheet
  • MMBF2202PT1G Stock

  • MMBF2202PT1G Pinout
  • Datasheet MMBF2202PT1G
  • MMBF2202PT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • MMBF2202PT1G Price
  • MMBF2202PT1G Distributor

MMBF2202PT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 5V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-70-3 (SOT323)
Paket / FallSC-70, SOT-323

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF5305LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STW21N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

EPC2025

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

194pF @ 240V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

BSR316PH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

360mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 360mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SC-59

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDMC8588

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.5A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1228pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 26W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power33

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1W 2512

SMF05C.TCT

SMF05C.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 12.5V SC70-6

1N4001G

1N4001G

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

SHARP/Socle Technology

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT

L272D

L272D

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 16SO

ISL6262CRZ

ISL6262CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 48QFN

NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

Murata

FILTER LC(T) 22PF SMD

AP2111MPG-13

AP2111MPG-13

Diodes Incorporated

IC USB SWITCH 2.45A CURR 8MSOP

SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX