MMBF4391
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBF4391 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MMBF4391 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 30V 350MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.278 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 11 - Mai 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MMBF4391 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBF4391 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MMBF4391 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50mA @ 20V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 4V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 30 Ohms |
| Leistung - max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 200mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket USV |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-VTFP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4.1pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-72 Lieferantengerätepaket 3-SPA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
