MMBFJ111
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBFJ111 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MMBFJ111 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 35V 350MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 30.244 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MMBFJ111 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBFJ111 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MMBFJ111 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 3V @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | 30 Ohms |
| Leistung - max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
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