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MMBT918LT1

MMBT918LT1

Nur als Referenz

Teilenummer MMBT918LT1
PNEDA Teilenummer MMBT918LT1
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,9907
500 ---------- $0,9443
1.000 ---------- $0,8978
2.500 ---------- $0,8514
5.000 ---------- $0,8127
10.000 ---------- $0,7740
Auf Lager 9.596
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MMBT918LT1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBT918LT1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MMBT918LT1, MMBT918LT1 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 75,16 KB)
PDFMMBT918LT1 Datenblatt Cover
MMBT918LT1 Datenblatt Seite 2 MMBT918LT1 Datenblatt Seite 3

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MMBT918LT1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang600MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
Gewinn11dB
Leistung - max225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

87.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.6A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M115

Lieferantengerätepaket

M115

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.5GHz

Gewinn

10dB @ 1.5GHz

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

0.95 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-MCP

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

175W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

BFR 182 B6663

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

12dB ~ 18dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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