MMBT918LT1G
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| Teilenummer | MMBT918LT1G |
| PNEDA Teilenummer | MMBT918LT1G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 55.188 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBT918LT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBT918LT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MMBT918LT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 600MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| Gewinn | 11dB |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 10dB ~ 14.5dB Leistung - max 210mW, 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA, 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-6-1 |
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