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MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

Nur als Referenz

Teilenummer MMIX1G120N120A3V1
PNEDA Teilenummer MMIX1G120N120A3V1
Beschreibung IGBT 1200V 220A 400W SMPD
Hersteller IXYS
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MMIX1G120N120A3V1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMIX1G120N120A3V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
MMIX1G120N120A3V1, MMIX1G120N120A3V1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 248,25 KB)
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MMIX1G120N120A3V1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)220A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)700A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 100A
Leistung - max400W
Schaltenergie10mJ (on), 33mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/490ns
Testbedingung960V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)700ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-PowerSMD, 21 Leads
Lieferantengerätepaket24-SMPD

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Hersteller

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Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

80µJ (on), 605µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

7.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/225ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/143ns

Testbedingung

360V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 150A

Leistung - max

600mW

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.7µs/2µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

APT13GP120BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 165µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/28ns

Testbedingung

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Leistung - max

66W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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