MMIX1X340N65B4
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| Teilenummer | MMIX1X340N65B4 |
| PNEDA Teilenummer | MMIX1X340N65B4 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.498 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MMIX1X340N65B4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMIX1X340N65B4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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MMIX1X340N65B4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX4™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 450A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 1200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 160A |
| Leistung - max | 1200W |
| Schaltenergie | 4.4mJ (on), 3.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 553nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 62ns/245ns |
| Testbedingung | 400V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 76ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Lieferantengerätepaket | 24-SMPD |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 100µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A Leistung - max 70W Schaltenergie 37µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/73ns Testbedingung 390V, 3A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 29ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 8A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 2A Leistung - max 25W Schaltenergie 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 7.8nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/300ns Testbedingung 800V, 2A, 150Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 8A Leistung - max 125W Schaltenergie 1mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/440ns Testbedingung 800V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 |
