MMIX2F60N50P3
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| Teilenummer | MMIX2F60N50P3 |
| PNEDA Teilenummer | MMIX2F60N50P3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.452 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MMIX2F60N50P3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMIX2F60N50P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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MMIX2F60N50P3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, Polar3™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 25V |
| Leistung - max | 320W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-SMD Module, 9 Leads |
| Lieferantengerätepaket | 24-SMPD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V Leistung - max 1.9W, 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x3) |
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