MOCD213VM
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| Teilenummer | MOCD213VM |
| PNEDA Teilenummer | MOCD213VM |
| Beschreibung | OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.096 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MOCD213VM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MOCD213VM |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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MOCD213VM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 100% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 2.8µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 1.6µs, 2.2µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 70V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.25V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 60% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 23µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 3µs, 2µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 30mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 350mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 1500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) - Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads Lieferantengerätepaket 6-DIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 7500Vpk Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 2µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
