MRF581A
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| Teilenummer | MRF581A |
| PNEDA Teilenummer | MRF581A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.912 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MRF581A Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF581A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MRF581A Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| Gewinn | 13dB ~ 15.5dB |
| Leistung - max | 1.25W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Micro-X ceramic (84C) |
| Lieferantengerätepaket | Micro-X ceramic (84C) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 22V Frequenz - Übergang 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB ~ 9.5dB Leistung - max 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB @ 2GHz Gewinn 9.6dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.27dB Leistung - max 875W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 2.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55CX Lieferantengerätepaket 55CX |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 270mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
