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MRF5S21045NBR1

MRF5S21045NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S21045NBR1
PNEDA Teilenummer MRF5S21045NBR1
Beschreibung FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S21045NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S21045NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S21045NBR1, MRF5S21045NBR1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.003,12 KB)
PDFMRF5S21045NR1 Datenblatt Cover
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MRF5S21045NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.12GHz
Gewinn14.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-272BB
LieferantengerätepaketTO-272 WB-4

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Gewinn

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Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

26.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

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7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-360S

Lieferantengerätepaket

NI-360S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.4GHz ~ 2.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

4.2µA

Rauschzahl

-

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1250-1

Lieferantengerätepaket

DFM4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

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