MS1014
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| Teilenummer | MS1014 |
| PNEDA Teilenummer | MS1014 |
| Beschreibung | RF POWER TRANSISTOR |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 4 - Jun 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MS1014 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS1014 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS1014 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.58dB Leistung - max 188W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SMT3 |
