MS2279
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| Teilenummer | MS2279 |
| PNEDA Teilenummer | MS2279 |
| Beschreibung | RF POWER TRANSISTOR |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.426 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MS2279 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2279 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2279 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 17W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.32dB Leistung - max 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 12.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
