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MSM5117400F-60T3-K-7

MSM5117400F-60T3-K-7

Nur als Referenz

Teilenummer MSM5117400F-60T3-K-7
PNEDA Teilenummer MSM5117400F-60T3-K-7
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL KBU
Hersteller Rohm Semiconductor
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MSM5117400F-60T3-K-7 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSM5117400F-60T3-K-7
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MSM5117400F-60T3-K-7, MSM5117400F-60T3-K-7 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 252,7 KB)
PDFMSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Cover
MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 2 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 3 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 4 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 5 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 6 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 7 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 8 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 9 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 10 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 11

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MSM5117400F-60T3-K-7 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße16Mb (4M x 4)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite110ns
Zugriffszeit30ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall26-SMD
LieferantengerätepaketKBU

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

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Hersteller

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MTFC4GACAJCN-4M IT TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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