MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3:B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3-B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 581 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3:B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.5V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 132-VBGA (12x18) |
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Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 32-sTSOP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, FS-S Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 2V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-BGA (8x6) |
