MT29F256G08CKCABH2-12:A
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| Teilenummer | MT29F256G08CKCABH2-12:A |
| PNEDA Teilenummer | MT29F256G08CKCABH2-12-A |
| Beschreibung | IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.194 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 11 - Jul 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F256G08CKCABH2-12:A Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F256G08CKCABH2-12:A |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F256G08CKCABH2-12:A Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 256Gb (32G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 83MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 100-TBGA (12x18) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MS-2 Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-VFBGA Lieferantengerätepaket 63-BGA (11x9) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 48-SSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP II |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 150ns Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-EDIP |
