MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
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| Teilenummer | MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F512G08EMCBBJ5-10ES-B-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIJ |
