MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR
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| Teilenummer | MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F64G08CBCABH1-12ITZ-A-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 64G PARALLEL 100VBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.196 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 64Gb (8G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 83MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-VBGA |
| Lieferantengerätepaket | 100-VBGA (12x18) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3L Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 13.75ns Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (9x10.5) |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 36-EDIP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.5ns Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 110ns Zugriffszeit 110ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LBGA Lieferantengerätepaket 64-FBGA (13x11) |
