MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F64G08CBCGBSX-37BES-G-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 64Gb (8G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 4Kb (512 x 8, 256 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3ms Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP |
