MT3S113(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT3S113(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S113-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT3S113(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT3S113(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT3S113(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.3V |
| Frequenz - Übergang | 12.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11.8dB |
| Leistung - max | 800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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