MT3S113TU,LF
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT3S113TU,LF |
| PNEDA Teilenummer | MT3S113TU-LF |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 30 - Jul 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT3S113TU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT3S113TU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT3S113TU,LF Datasheet
- where to find MT3S113TU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU,LF
- MT3S113TU,LF PDF Datasheet
- MT3S113TU,LF Stock
- MT3S113TU,LF Pinout
- Datasheet MT3S113TU,LF
- MT3S113TU,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- MT3S113TU,LF Price
- MT3S113TU,LF Distributor
MT3S113TU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.3V |
| Frequenz - Übergang | 11.2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Gewinn | 12.5dB |
| Leistung - max | 900mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | UFM |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.48GHz ~ 1.65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB ~ 9.3dB Leistung - max 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55LV-1 Lieferantengerätepaket 55LV-1 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 11V Frequenz - Übergang 3.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 310mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 200MHz Gewinn 15dB Leistung - max 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5dB @ 500MHz Gewinn 53dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SSM |
