MT41J512M8RH-107:E
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT41J512M8RH-107:E |
| PNEDA Teilenummer | MT41J512M8RH-107-E |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.714 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 4 - Jun 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT41J512M8RH-107:E Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT41J512M8RH-107:E |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT41J512M8RH-107:E Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.425V ~ 1.575V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 78-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 78-FBGA (9x10.5) |
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