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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
PNEDA Teilenummer MT45W512KW16BEGB-708-WT-TR
Beschreibung IC PSRAM 8M PARALLEL 54VFBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT45W512KW16BEGB-708 WT TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR, MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt (Total Pages: 58, Größe: 1.721,22 KB)
PDFMT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Cover
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 2 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 3 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 4 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 5 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 6 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 7 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 8 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 9 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 10 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt Seite 11

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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-VFBGA
Lieferantengerätepaket54-VFBGA (6x8)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MTFC4GMVEA-IT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-WFBGA

Lieferantengerätepaket

153-WFBGA (11.5x13)

IS61WV6416BLL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

44-SOJ

7132LA55P

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

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