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MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H16M16BG-5E:B
PNEDA Teilenummer MT47H16M16BG-5E-B
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H16M16BG-5E:B Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H16M16BG-5E:B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT47H16M16BG-5E:B, MT47H16M16BG-5E:B Datenblatt (Total Pages: 133, Größe: 9.390,91 KB)
PDFMT47H16M16BG-3 IT:B TR Datenblatt Cover
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MT47H16M16BG-5E:B Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit600ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-FBGA
Lieferantengerätepaket84-FBGA (8x14)

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

CBRAM®

Technologie

CBRAM

Speichergröße

64kb (32B Page Size)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 1.2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

6-WLCSP

CY7C1263V18-400BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

IS43LD32320A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-TFBGA

Lieferantengerätepaket

134-TFBGA (10x11.5)

7132LA20J8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.13x19.13)

MT49H8M36FM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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