MT47R512M4EB-25E:C
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT47R512M4EB-25E:C |
| PNEDA Teilenummer | MT47R512M4EB-25E-C |
| Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.772 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 30 - Jun 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT47R512M4EB-25E:C Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT47R512M4EB-25E:C |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT47R512M4EB-25E:C, MT47R512M4EB-25E:C Datenblatt
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MT47R512M4EB-25E:C Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400ps |
| Spannung - Versorgung | 1.55V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 60-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 60-FBGA (9x11.5) |
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