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MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
PNEDA Teilenummer MT49H32M18CSJ-25E-IT-B-TR
Beschreibung IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR, MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Datenblatt (Total Pages: 74, Größe: 1.222,99 KB)
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MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße576Mb (32M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall144-TFBGA
Lieferantengerätepaket144-FBGA (18.5x11)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS42S32800D-7B

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

96ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

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Montagetyp

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Paket / Fall

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