MT49H64M9SJ-25E:B TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT49H64M9SJ-25E:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT49H64M9SJ-25E-B-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT49H64M9SJ-25E:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT49H64M9SJ-25E:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT49H64M9SJ-25E:B TR, MT49H64M9SJ-25E:B TR Datenblatt
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MT49H64M9SJ-25E:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | DRAM |
| Speichergröße | 576Mb (64M x 9) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 15ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 144-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 144-FBGA (18.5x11) |
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