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MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G

Nur als Referenz

Teilenummer MUN5211DW1T1G
PNEDA Teilenummer MUN5211DW1T1G
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUN5211DW1T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUN5211DW1T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
MUN5211DW1T1G, MUN5211DW1T1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 150,83 KB)
PDFNSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Cover
NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 2 NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 3 NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 4 NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 5 NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 6 NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 7 NSVBC114EDXV6T1G Datenblatt Seite 8

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MUN5211DW1T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

500mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

PIMD3F

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

230MHz, 180MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

UMA11NTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

UMT5

RN2505TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

EMH60T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

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