MV2N4860
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| Teilenummer | MV2N4860 |
| PNEDA Teilenummer | MV2N4860 |
| Beschreibung | N CHANNEL JFET |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.616 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MV2N4860 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MV2N4860 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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MV2N4860 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 6V @ 500pA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 40 Ohms |
| Leistung - max | 360mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 3V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AC (TO-52) |
