MX0912B351Y,114
Nur als Referenz
| Teilenummer | MX0912B351Y,114 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MX0912B351Y-114 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Ampleon | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 281 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MX0912B351Y Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MX0912B351Y,114 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MX0912B351Y Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Frequenz - Übergang | 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7.6dB |
| Leistung - max | 960W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 21A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-439A |
| Lieferantengerätepaket | CDFM2 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 20dB Leistung - max 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller MICROSS/On Semiconductor Serie * Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
