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NCP3418BMNR2G

NCP3418BMNR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCP3418BMNR2G
PNEDA Teilenummer NCP3418BMNR2G
Beschreibung IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 10-DFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.388
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NCP3418BMNR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCP3418BMNR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCP3418BMNR2G, NCP3418BMNR2G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 89,37 KB)
PDFNCP3418BMNR2G Datenblatt Cover
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NCP3418BMNR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.6V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)30V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)16ns, 11ns
Betriebstemperatur0°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-DFN (3x3)

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Hersteller

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Serie

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Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 3.65V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MIC4414YFT-TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UQFN

Lieferantengerätepaket

4-TQFN (1.2x1.2)

IR21814S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

LM5111-1M

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.5V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

1SP0635D2S1-17

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-2

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.5V ~ 15.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

35A, 35A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1700V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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