ND261N20KHPSA1
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| Teilenummer | ND261N20KHPSA1 |
| PNEDA Teilenummer | ND261N20KHPSA1 |
| Beschreibung | DIODE GP 2KV 260A BG-PB50ND-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.734 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ND261N20KHPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ND261N20KHPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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ND261N20KHPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 2000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 260A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 40mA @ 2000V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | BG-PB50ND-1 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 135°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 27ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 8µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AA, DO-27, Axial Lieferantengerätepaket DO-27 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.5mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 80A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ADD-A-PAK (3) Lieferantengerätepaket ADD-A-PAK® Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101, SBR® Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 510mV @ 8A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
