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NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE3512S02-T1C-A
PNEDA Teilenummer NE3512S02-T1C-A
Beschreibung HJ-FET NCH 13.5DB S02
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.898
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NE3512S02-T1C-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3512S02-T1C-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3512S02-T1C-A, NE3512S02-T1C-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.044,87 KB)
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NE3512S02-T1C-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypHFET
Frequenz12GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)70mA
Rauschzahl0.35dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketS02

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

700W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

220MHz

Gewinn

25.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

110V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

30MHz ~ 2.2GHz

Gewinn

18.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400S

Lieferantengerätepaket

NI-400S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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