NE851M33-A
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| Teilenummer | NE851M33-A |
| PNEDA Teilenummer | NE851M33-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.716 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NE851M33-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE851M33-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE851M33-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.5V |
| Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 130mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 3-SuperMiniMold (M33) |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn 9.5dB ~ 11.5dB Leistung - max 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (M33) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 14dB @ 1GHz Leistung - max 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-CPH |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 1GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.8dB Leistung - max 39W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55LT Lieferantengerätepaket 55LT |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 23dB Leistung - max 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (3x3) |
