NGTB30N120IHSWG
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| Teilenummer | NGTB30N120IHSWG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB30N120IHSWG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 30A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.382 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB30N120IHSWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB30N120IHSWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTB30N120IHSWG, NGTB30N120IHSWG Datenblatt
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NGTB30N120IHSWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 192W |
| Schaltenergie | 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/210ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A Leistung - max 225W Schaltenergie 310µJ (on), 1.14mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 166nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/390ns Testbedingung 300V, 30A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 6A Leistung - max 88W Schaltenergie 150µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/125ns Testbedingung 400V, 6A, 14.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 320W Schaltenergie 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 157nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/229ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 153ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller STMicroelectronics Serie * IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max 625W Schaltenergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 66ns/185ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 202ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket MAX247™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4.8µs Testbedingung 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
