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NGTB40N65FL2WG

NGTB40N65FL2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB40N65FL2WG
PNEDA Teilenummer NGTB40N65FL2WG
Beschreibung IGBT 650V 80A 366W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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NGTB40N65FL2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB40N65FL2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB40N65FL2WG, NGTB40N65FL2WG Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 139,39 KB)
PDFNGTB40N65FL2WG Datenblatt Cover
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NGTB40N65FL2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max366W
Schaltenergie970µJ (on), 440µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.84ns/177ns
Testbedingung400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)72ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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IRGR3B60KD2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

62µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 3A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

77ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGW60H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.09mJ (on), 626µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

51ns/160ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IGP15N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/188ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IXGR24N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 24A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGY75T95SQDT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

950V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.11V @ 15V, 75A

Leistung - max

434W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 3.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

137nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28.8ns/117ns

Testbedingung

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

259ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

EN6360QI

EN6360QI

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TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET

IHLP1212BZER1R5M11

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FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

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OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO