NGTB45N60S1WG
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| Teilenummer | NGTB45N60S1WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB45N60S1WG |
| Beschreibung | IGBT 45A 600V TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB45N60S1WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB45N60S1WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB45N60S1WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 1.25mJ (on), 530µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 125nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 72ns/132ns |
| Testbedingung | 400V, 45A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max 480W Schaltenergie 1.1mJ (on), 21mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/250ns Testbedingung 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 20A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 58W Schaltenergie 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/120ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max 75W Schaltenergie 60µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/116ns Testbedingung 400V, 4A, 43Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
