NGTB45N60S2WG
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| Teilenummer | NGTB45N60S2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB45N60S2WG |
| Beschreibung | IGBT 45A 600V TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB45N60S2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB45N60S2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB45N60S2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 360µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 135nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/151ns |
| Testbedingung | 400V, 45A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 498ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 229A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A Leistung - max 625W Schaltenergie 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 600nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/310ns Testbedingung 400V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
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