NGTB50N120FL2WG

Nur als Referenz
Teilenummer | NGTB50N120FL2WG | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | NGTB50N120FL2WG | ||||||||||||||||||
Beschreibung | IGBT 1200V 100A 535W TO247 | ||||||||||||||||||
Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 851 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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NGTB50N120FL2WG Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | NGTB50N120FL2WG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
NGTB50N120FL2WG, NGTB50N120FL2WG Datenblatt
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NGTB50N120FL2WG Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Leistung - max | 535W |
Schaltenergie | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 311nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 118ns/282ns |
Testbedingung | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 256ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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