NGTB50N60S1WG
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| Teilenummer | NGTB50N60S1WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB50N60S1WG |
| Beschreibung | IGBT 50A 600V TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB50N60S1WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB50N60S1WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB50N60S1WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 460µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/237ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 94ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 60A Leistung - max 300W Schaltenergie 8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/300ns Testbedingung 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
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